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2SJ361

更新时间： 2024-02-03 10:50:17
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日立 - HITACHI /
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9页 45K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ361  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
Pulse Test  
–10 V  
–5 V  
–2.5 V  
V
= 0, 5 V  
GS  
0
–0.2  
–0.4 –0.6 –0.8  
–1.0  
(V)  
Source to Drain Voltage  
V
SD  
Switching Time Test Circuit  
Waveforms  
Vout  
Vin  
Vin Monitor  
D.U.T.  
Monitor  
10%  
R
L
90%  
90%  
V
DD  
Vin  
10 V  
90%  
10%  
50Ω  
= –10 V  
10%  
Vout  
td(off)  
td(on)  
t
f
tr  
7
1...456789

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