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2SJ370

更新时间: 2024-10-13 21:55:31
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1页 686K
描述
60V SERIES POWER MOSFET

2SJ370 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:35 W
最大功率耗散 (Abs):35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):75 nsBase Number Matches:1

2SJ370 数据手册

  

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