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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ351|2SJ352 | ETC |
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| 2SJ351-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ352 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ352 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ352-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ353 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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