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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-3Z | 包装说明： | , |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ325-Z-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ325-ZK-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ326 | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ326-Z | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ326-Z-AZ | NEC | 暂无描述 |
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| 2SJ326-Z-E1 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252 |
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