2SJ294

更新时间： 2024-01-22 03:20:30

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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3页	23K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ294 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220FM, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ294 数据手册

2SJ294

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–200

–100

–50

–20

–10

–5

Operation in

this area is

–2

–1

limited by R

DS(on)

–0.5

Ta = 25 °C

–5 –10 –20

Drain to Source Voltage

–0.2

100

150

200

–1 –2

–50 –100

(V)

Case Temperature Tc (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

ch – c(t) = s (t) • ch – c

ch – c = 3.57 °C/W, Tc = 25 °C

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

1 23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SJ296(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263AB	获取价格
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