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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD882-R-AZ
2SD882-R-AZ PDF预览

2SD882-R-AZ

更新时间： 2024-02-17 11:20:36
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 344K
描述
3000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD882-R-AZ 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

2SD882-R-AZ 数据手册

 浏览型号2SD882-R-AZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SD882-R-AZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD882-R-AZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD882-R-AZ的Datasheet PDF文件第5页 
2SD882  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
V
CE = 10 V  
Note  
I
C = 1.0 A  
TC  
TA  
IC(pulse)  
50%  
V
CE  
IC(DC)MAX.  
hFE  
VBE  
Note  
TC = 25°C  
I
B
I
C
V
CE  
VCE  
•
IC = 10 A IB  
VCE = 5.0 V  
I
I
E
C
= 0 A (Cob)  
= 0 A (Cib)  
V
BE(sat)  
C
ib  
C
ob  
IC  
I
C
V
V
CB  
EB  
2
Data Sheet D17116EJ2V0DS  
12345

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与2SD882-R-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD882-R-BP MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD882-R-BP-HF MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
2SD882R-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
2SD882-R-HF KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD882S DCCOM

获取价格

 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD882S UTC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD882S SWST

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 		MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SD882S_12 UTC

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