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2SD882SE(SOT-89)

更新时间： 2024-09-23 17:21:11

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Transistor

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2SD882SE(SOT-89) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SD882SE(SOT-89) 数据手册

UTC2SD882S

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE

TRANSISTOR

FEATURES

*High current output up to 3A

*Low saturation voltage

*Complement to 2SB772S

APPLICATIONS

* Audio power amplifier

* DC-DC convertor

* Voltage regulator

SOT-89

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

*Pb-free plating product number: 2SD882SL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{(Ta=25°C, unless otherwise specified )}

PARAMETERS

Collector-base voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATINGS

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector Dissipation( Tc=25°C)

Collector Dissipation( Ta=25°C)

Collector current(DC)

Collector current(PULSE)

Base current

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

0.6

150

°C

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS _{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VCB=30V,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain(note 1)

ICBO

IEBO

1000

VEB=3V,Ic=0

hFE1

VCE=2V,Ic=20mA

VCE=2V,Ic=1A

200

150

0.3

1.0

hFE2

100

400

0.5

2.0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

VCE(sat)

VBE(sat)

Ic=2A,IB=0.2A

VCE=5V,Ic=0.1A

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

MHz

Cob

Note 1:Pulse test:PW<300µs,Duty Cycle<2%

CLASSIFICATION OF hFE2

RANK

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R208-007,B

12 3

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