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2SD756TZ

更新时间: 2023-01-03 05:26:20
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日立 - HITACHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SD756TZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.43最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):250JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD756TZ 数据手册

  

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