2SD772A

更新时间： 2024-11-21 06:25:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	86K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD772A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD772 2SD772A 2SD772B

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·For power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

150

200

250

UNIT

2SD772

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

2SD772A

2SD772B

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open collector

I_CM

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-50~150

T_stg

12 3

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