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2SD756DTZ

更新时间: 2023-05-15 00:00:00
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日立 - HITACHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92MOD, 3 PIN

2SD756DTZ 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):350 MHz

2SD756DTZ 数据手册

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