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2SD2118

更新时间： 2024-10-01 06:23:47
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 486K
描述
NPN Silicon General Purpose Transistor

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2SD2118 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD2118 数据手册

 浏览型号2SD2118的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2118的Datasheet PDF文件第3页 
2SD2118  
NPN Silicon  
Elektronische Bauelemente  
General Purpose Transistor  
RoHS Compliant Product  
D-Pack  
6. 50Ć0. 15  
2. 30 0. 10  
Ć
FEATURES  
5. 30Ć0. 10  
C
0. 51 0. 05  
Ć
1. 20  
0. 51 0. 10  
Ć
Low Collector-to-Emitter Voltage (Typ. 0.25 V)  
‧
‧
0
0. 10  
5
Ć
Excellent DC Current Gain Characteristics  
5
0. 80Ć0. 10  
0. 60 0. 10  
Ć
2. 30 0. 10  
Ć
0
9
Ć
2. 30 0. 10  
Ć
0. 51  
B
C
E
o
MAXIMUM RATINGS* (TA=25 C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Ratings  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
V
V
50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
6
V
5
A
PC  
Tj  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1
W
°C  
°C  
-
-
55~+150  
55~+150  
TSTG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwise specified)  
C
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
50  
20  
6
Typ.  
Max  
Unit.  
V
Test Conditions  
IC=50µA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Collector Saturation Voltage  
DC Current Gain  
-
-
-
IC=1mA, IB=0  
-
V
-
-
V
IE=50µA, IC=0  
-
-
0.5  
µA  
µA  
V
VCB=40V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
IEBO  
-
-
0.5  
1
VCE(sat)  
hFE  
-
0.25  
-
IC=4A, IB=100mA  
VCE=2V, IC=500mA  
390  
120  
VCE=6V, IC=50mA, f=100MHz  
VCB=20V, IE=0, f=1MHz  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
fT  
-
-
150  
-
-
MHz  
pF  
Cob  
30  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Q
R
180-390  
Range  
120-270  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 3  
123

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与2SD2118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2118/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2118/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2118/RS ROHM

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