2SD1757KT146Q

更新时间： 2024-02-21 14:36:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
Power Transistor (15V, 0.5A)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1757KT146Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.62
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1757KT146Q 数据手册

2SD1757K

Transistors

Power Transistor (15V, 0.5A)

2SD1757K

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat). (Typ.8mV at IC/IB = 10/1mA)

2) Optimal for muting.

1.6

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

2.8

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

0.3to0.6

Each lead has same dimensions

6.5

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

0.5

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to +150

zPackaging specifications and hFE

Type

2SD1757K

Package

SMT3

QRS

hFE

∗

Marking

Code

T146

3000

Basic ordering unit (pieces)

∗ Denotes hFE

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

6.5

−

120

−

0.1

−

150

−

0.5

0.4

560

−

=50µA

=1mA

=50µA

CB=20V

EB=4V

CBO

µA

Emitter cutoff current

EBO

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

CE(sat)

CE/I

CE=5V , I

CB=10V , I

=500mA/50mA

=3V/100mA

=−50mA , f=100MHz

=0A , f=1MHz

hFE

−

MHz

Transition frequency

Output capacitance

Cob

−

Rev.A

1/3

12 3 4

下载PDF

与2SD1757KT146Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1757KT147/QR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1757KT147/QS	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1757KT147/R	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1757KT147/S	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1757KT147Q	ROHM	500mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD1757KT147R	ROHM	500mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格