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2SD1705P

更新时间： 2024-02-09 22:39:04

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4页	68K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-247VAR

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2SD1705P 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SD1705P 数据手册

Power Transistors

2SD1705

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

For power switching

5.0 0.ꢁ

15.0 0.ꢀ

11.0 0.ꢁ

(ꢀ.ꢁ)

Complementary to 2SB1154

φ ꢀ.ꢁ 0.1

I Features

•

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

Large collector current I_C

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

ꢁ.0 0.ꢁ

1.1 0.1

ꢁ.0 0.1

0.6 0.ꢁ

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

5.45 0.ꢀ

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

10.9 0.5

ꢁ

1: Base

2: Collector

3: Emitter

130

ꢀ

EIAJ: SC-96

TOP-3F-A Package

I_C

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_CB= 100 V, I_E= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

I_EBO

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

h_FE1

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.1 A

V_CE= 2 V, I_C= 3 A

V_CE= 2 V, I_C= 6 A

I_C= 6 A, I_B= 0.3 A

I_C= 10 A, I_B= 1 A

h_FE2

260

h_FE3

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

0.5

1.5

2.5

Base to emitter saturation voltage

V_BE(sat)1

I_C= 6 A, I_B= 0.3 A

I_C= 10 A, I_B= 1 A

V_BE(sat)2

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= 6 A, I_B1= 0.6 A, I_B2= − 0.6 A,

V_CC= 50 V

0.5

2.0

0.2

MHz

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3 4

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