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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1693-L | NEC | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1693L-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,70V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SD1693L-S1-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,70V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SD1693M | NEC | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1693-M | NEC | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1693M-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,70V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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