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2SD1664T100

更新时间: 2024-02-06 21:03:37
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 121K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD1664T100 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-62
包装说明:MPT3, SC-62, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.17
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SD1664T100 数据手册

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Transistors  
Medium Power Transistor (32V, 1A)  
2SD1664 / 2SD1858  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) LowVCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical).  
(IC /IB = 500mA/50mA)  
2) Complements the  
2SB1132 / 2SB1237.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
(96-207-D12)  
249  

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