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2SD1619T

更新时间: 2024-01-05 11:49:42
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 101K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

2SD1619T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):280
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.3 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
VCEsat-Max:0.3 V

2SD1619T 数据手册

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