2SD1457

更新时间： 2024-01-13 05:46:45

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3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1457 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3-3L
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	700	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1457 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1457 2SD1457A

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

150

200

TYP.

MAX

UNIT

2SD1457

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=2A ;L=10mH

2SD1457A

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

Emitter-base breakdown voltage

I_E=0.1A ;I_C=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=3A ;I_B=60mA

1.5

2.5

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

I_C=3A ;I_B=60mA

V_CB=200V; I_E=0

100

μA

h_FE

I_C=2A ; V_CE=2V

700

10000

f_T

Transition frequency

I_C=0.5A ; V_CE=10V;f=1MHz

MHz

h_FEClassifications

700-2500

2000-5000

4000-10000

123

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2SD1457AO	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SD1457AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
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