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2SD1367-C

更新时间： 2025-08-01 01:07:15

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NPN Transistors

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2SD1367-C 数据手册

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SMD Type

Transistors

NPN Transistors

2SD1367

1.70 0.1

■ Features

● Low frequency power amplifier

● Complementary to 2SB1001

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

20

16

6

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulse (Note.1)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

2

A

I

CP

3

P

C

1

W

℃

T

J

150

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

Note.1:PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%.

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

20

16

6

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100 uA， I

Ic= 1 mA，R^BE= ∞

= 100 uA， I = 0

^CB= 16 V , I = 0

EB= 5V , I =0

E= 0

I

E

C

I

CBO

EBO

V

V

E

0.1

0.1

0.3

1.2

500

uA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=1 A, I

B

=100mA

=100mA

0.15

0.9

V

C

=1 A, I

B

hFE

V

V

V

^CE= 2V, I

CB= 10V, I

CE= 2V, I = 10 mA

C= 0.1 A

100

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E= 0,f=1MHz

20

pF

f

C

100

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SD1367-A

100-200

BA

2SD1367-B

160-320

BB

2SD1367-C

250-500

BC

1

www.kexin.com.cn

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