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2SD1250P

更新时间： 2024-02-06 05:14:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR

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2SD1250P 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SD1250P 数据手册

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Power Transistors  
2SD1250, 2SD1250A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
For power amplification  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
For TV vartical deflection output  
Complementary to 2SB0928 (2SB928) and 2SB0928A (2SB928A)  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
0.8±0.1  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
N Type Package  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Unit: mm  
Collector to  
2SD1250  
2SD1250A  
2SD1250  
200  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
3.4±0.3  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
200  
1.0±0.1  
150  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1250A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
180  
VEBO  
ICP  
6
V
A
A
3
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
IC  
2
30  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
1.1 max.  
Collector power TC=25°C  
5.08±0.5  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
1:Base  
1
2
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
2:Collector  
3:Emitter  
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Collector to base voltage  
VCB = 200V, IE = 0  
IEBO  
VEB = 4V, IC = 0  
50  
VCBO  
IC = 500µA, IE = 0  
200  
150  
180  
6
2SD1250  
2SD1250A  
Collector to emitter  
voltage  
VCEO  
VEBO  
IC = 5mA, IB = 0  
V
V
Emitter to base voltage  
IE = 500µA, IC = 0  
*
hFE1  
VCE = 10V, IC = 150mA  
VCE = 10V, IC = 400mA  
VCE = 10V, IC = 400mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
60  
240  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
50  
1
1
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Transition frequency  
fT  
20  
MHz  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
60 to 140  
100 to 240  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD1250-P KEXIN NPN Transistors

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2SD1250TX PANASONIC Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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