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2SC5088TE85R

更新时间： 2024-10-02 15:25:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 454K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

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2SC5088TE85R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：7000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5088TE85R 数据手册

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2SC5088  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type  
2SC5088  
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
Low noise figure, high gain.  
NF = 1.1dB, |S |2 = 13dB (f = 1 GHz)  
21e  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
20  
12  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Base current  
3
V
I
40  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
B
Collector current  
I
80  
C
1.Emitter1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
125  
−55~125  
2.Collector  
3.Emitter2  
4.Base  
C
T
j
USQ  
JEDEC  
T
stg  
―
―
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEITA  
TOSHIBA  
2-2K1A  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/  
“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data  
(i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Microwave Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Transition frequency  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
f
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 20 mA  
5
7
18  
13  
1
⎯
⎯
⎯
⎯
2
GHz  
T
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
⎪S ⎪2 (1)  
= 10 V, I = 20 mA, f = 500 MHz  
⎯
9.5  
⎯
⎯
21e  
C
Insertion gain  
Noise figure  
dB  
dB  
⎪S ⎪2 (2)  
= 10 V, I = 20 mA, f = 1 GHz  
21e  
C
NF (1)  
NF (2)  
= 10 V, I = 5 mA, f = 500 MHz  
C
= 10 V, I = 5 mA, f = 1 GHz  
1.1  
C
1
2007-11-01  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5088Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-143VAR
2SC5088-Y TOSHIBA

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 		暂无描述
2SC5088Y(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,80MA I(C),SOT-143VAR
2SC5088-YTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5089 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATNIONS)
2SC5089O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-59
2SC5089-O TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP RF Sma
2SC5089-OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5089-OTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
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