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2SC4976D

更新时间: 2024-01-21 10:57:46
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 482K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-252

2SC4976D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.82外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):400 MHz
Base Number Matches:1

2SC4976D 数据手册

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