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2SC4536-T1QS

更新时间： 2024-02-08 16:31:24

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	47K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC4536-T1QS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

2SC4536-T1QS 数据手册

2SC4536

INSERTION POWER GAIN, MAXIMUM POWER

GAIN, MAG vs. COLLECTOR CURRENT

NOISE FIGURE vs.

COLLECTOR CURRENT

MAG

CE = 10 V

f = 1 GHz

max (u)

|S21e

CE = 10 V

f = 1 GHz

100

(mA)

300

100

200

Collector Current I

Collector Current I (mA)

IM3, IM2+, IM2– vs.

COLLECTOR CURRENT

VCE = 10 V

IM2+

IM2–

IM³:VO = 110 dB

V/75 Ω 2 tone each

f = 2 × 190 – 200 MHz

IM²⁺:VO = 105 dB

V/75 Ω 2 tone each

f = 90 + 100 MHz

IM^2–:VO = 105 dB

V/75 Ω 2 tone each

f = 190 – 90 MHz

100

300

Collector Current I

(mA)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

S-PARAMETERS

S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form

(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.

Click here to download S-parameters.

[RF and Microwave] → [Device Parameters]

URL http://www.csd-nec.com/

Data Sheet PU10338EJ01V0DS

1 2 345 6 7

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与2SC4536-T1QS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4536-T1QS-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4537	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC4537	ISC	获取价格	isc Silicon NPN RF Transistor
2SC4537	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC4537IS	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
2SC4537IS-TL	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4537IS-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC4537IS-TR	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4537IS-TR	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CMPAK-3
2SC4537IS-UL	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili