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2SC4364-4

更新时间： 2024-02-19 01:11:38

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	129K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30MA I(C) \| SOT-23VAR

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技术参数
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2SC4364-4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	1.3 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4364-4 数据手册

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