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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC4365-4 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4366 | HITACHI | Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4366 | KEXIN | Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4366 | TYSEMI | Low Frequency amplifier. Collector-base voltage VCBO 60 V |
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| 2SC4366ZI | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4366ZI-TL | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3 |
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