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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4177L7-T1 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177L7-T1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC4177L7-T2-A | RENESAS |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4177L7-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC4177-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T1L7 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC4177-T2L4 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T2L6 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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