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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4177-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC4177-T2L4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177-T2L6 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER M |
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| 2SC4177W | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC4178 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxia |
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| 2SC4178 | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC4178 | TYSEMI |
获取价格 |
Micro package. High gain bandwidth product. Low output capacitance. |
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| 2SC4178-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC4178F12 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-70 |
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