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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 275 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3739-LB13 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-LB14 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-T1B-A | RENESAS |
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HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC3739-T1B-AT | RENESAS |
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2SC3739-T1B-AT |
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| 2SC3739-T1BB12 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-T1BB13 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-T2B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SC3739-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC3739-T2BB14 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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