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2SC3743

更新时间： 2024-02-08 10:33:41

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3743 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3743

DESCRIPTION

·Collector-Emiiter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 800V(Min.)

·Wide Area of Safe Operation

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for high speed switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

900

800

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

T_j

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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