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2SC3729

更新时间： 2022-12-26 14:37:04

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	217K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3729 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3729

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 800V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for TV horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SC3729相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC372GTM	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SC372TM	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SC373	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-98VAR	获取价格
2SC3731	NEC	NPN SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SC3731	SWST	小信号晶体管	获取价格
2SC3731-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, NPN	获取价格