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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3603
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2SC3603

更新时间： 2024-01-08 09:49:42
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
页数 文件大小 规格书
8页 92K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC3603 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, X-CXMW-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：S BAND
JESD-30 代码：X-CXMW-F4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：MICROWAVE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

2SC3603 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3603  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION  
The 2SC3603 is an NPN epitaxial transistor designed for low-  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
noise amplification at 0.5 to 4.0 GHz. This transistor has low-noise  
and high-gain characteristics in a wide collector current region, and  
has a wide dynamic range.  
E
FEATURES  
3.8 MIN.  
3.8 MIN.  
• Low noise  
: NF = 2.1 dB TYP. @ f = 2.0 GHz  
C
B
• High power gain : GA = 10 dB TYP. @ f = 2.0 GHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
45 °  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
UNIT  
V
PIN CONNECTIONS  
E: Emitter  
C: Collector  
B: Base  
20  
12  
E
VCEO  
V
0.5 ± 0.05  
2.55 ± 0.2  
φ 2.1  
VEBO  
3
V
IC  
100  
mA  
mW  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT (TC = 25 °C)  
Tj  
580  
200  
Tstg  
-
65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
VCB = 10 V, IE = 0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.0  
UNIT  
µA  
IEBO  
VEB = 1 V, IC = 0  
1.0  
µA  
hFE  
VCE = 10 V, IC = 20 mA Pulse  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
50  
120  
7
300  
Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Noise Figure  
fT  
GHz  
pF  
Cre  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz  
VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz  
VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz  
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz  
0.5  
2.1  
9.0  
12.0  
10  
1.0  
3.4  
NFNote  
|S21e|2  
MAG  
GA  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Gain  
7.0  
Maximum Available Gain  
Power Gain  
10.0  
Document No. P11674EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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2SC3603 替代型号

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC3606 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC3606 KEXIN

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 		Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3606 TYSEMI

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 		Low noise figure, high gain .NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz)
2SC3606TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal
2SC3606TE85R TOSHIBA

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 		2SC3608

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