2SC3390CTZ

更新时间： 2024-02-17 04:47:52

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3

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2SC3390CTZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3390CTZ 数据手册

2SC3390

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

300

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V_(BR)CBO

—

I_C= 10 µA, I_E= 0

Collector to emitter breakdown V_(BR)CEO

voltage

—

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

I_E= 10 µA, I_C= 0

Emitter to base breakdown

voltage

V_(BR)EBO

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

Base to emitter voltage

I_CBO

—

0.5

µA

V_CB= 18 V, I_E= 0

I_EBO

h_FE*¹

—

0.5

V_EB= 2 V, I_C= 0

100

—

320

0.75

0.2

V_CE= 12 V, I_C= 2 mA

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_BE

Collector to emitter saturation

voltage

V_CE(sat)

—

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

Noise figure

f_T

—

200

—

MHz

V_CE= 12 V, I_C= 2 mA

Cob

3.5

5.0

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1.0

V_CE= 6 V, I_C= 0.1 mA,

R_g= 1 kΩ, f = 1 kHz

Note: 1. The 2SC3390 is grouped by h_FEas follows.

100 to 200

160 to 320

See characteristic curves of 2SC458(LG).

123 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3390RF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3390RR	HITACHI	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3390TZ	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3391	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SC3391B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SPAK
2SC3391-B	HITACHI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3391BRF	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC3391BRR	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC3391C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SPAK
2SC3391-C	HITACHI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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