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2SC3199GR

更新时间: 2024-01-05 16:28:56
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描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92

2SC3199GR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.75Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.15 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

2SC3199GR 数据手册

  
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