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2SC3202

更新时间： 2023-12-06 20:11:12

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体管
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5页	236K
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小信号晶体管

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2SC3202

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups, O

and Y according to its DC current gain

• On special request, these transistors can be

manufactured in different pin configurations

Applications

1. Emitter 2. Collector 3. Base

TO-92 Plastic Package

• For switching and general purpose applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

V

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

35

30

V

5

500

V

mA

mA

mW

℃

Emitter Current

-I_E

500

Power Dissipation

P_tot

625

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

200

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

®

1 / 5

Dated: 28/06/2022 Rev: 02

12 3 4 5

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与2SC3202相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3203	KEC	SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)	获取价格
2SC3203	SWST	小信号晶体管	获取价格
2SC3205	KEC	2SC3229	获取价格
2SC3206	KEC	SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)	获取价格
2SC3206	SWST	功率三极管	获取价格
2SC3208	KEC	2SC3229	获取价格

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