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2SC2309DTZ-E

更新时间: 2024-09-25 06:17:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 173K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SC2309DTZ-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.69
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):250JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):230 MHz
Base Number Matches:1

2SC2309DTZ-E 数据手册

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2SC2309  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0696-0200  
(Previous ADE-208-1061)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A  
(Package name: TO-92 (1))  
1. Emitter  
Collector  
e  
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter vol
Emitter to base volta
Collector current  
ymbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
55  
50  
V
5
100  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 6  

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