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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1945 | MITSUBISHI |
功能相似  |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1626O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC1626Y | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2SC1627 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (DRIVER STAGE, VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC1627 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| 2SC1627_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
|
| 2SC1627A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (ERIVER STAGE, VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC1627A | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
|
| 2SC1627A | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC1627A | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
|
| 2SC1627A | CJ |
获取价格 |
TO-92L |
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