2SB956

更新时间： 2024-02-21 11:14:16

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描述
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

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2SB956 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB956 数据手册

Transistor

2SB956

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1280

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Large collector power dissipation P_C.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

45°

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

3.0±0.15

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–20

marking

–20

–5

–2

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

–1

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : H

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= –10V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

–1

V_CEO

V_EBO

I_C= –1mA, I_B= 0

–20

–5

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –500mA^*2

V_CE= –2V, I_C= –1.5A^*2

I_C= –1A, I_B= –50mA^*2

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CB= –6V, I_E= 50mA, f = 200MHz

130

280

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.5

–1.2

Transition frequency

f_T

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –6V, I_E= 0, f = 1MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

130 ~ 210

180 ~ 280

Marking Symbol

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