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2SB859C

更新时间: 2024-09-27 23:20:07
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 30K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB

2SB859C 数据手册

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2SB859  
Silicon PNP Triple Diffused  
Application  
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1135  
Outline  
TO-220AB  
1. Base  
2. Collector  
(Flange)  
3. Emitter  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
–100  
–80  
V
–5  
V
–4  
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Note: 1. Value at TC = 25°C  
IC(peak)  
PC*1  
Tj  
–8  
A
40  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
–45 to +150  

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