5秒后页面跳转
2SB825S PDF预览

2SB825S

更新时间: 2024-02-28 12:39:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB

2SB825S 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):140JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:40 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SB825S 数据手册

 浏览型号2SB825S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB825S的Datasheet PDF文件第3页 

与2SB825S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB826 ISC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2SB826 JMNIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2SB826 MOSPEC

获取价格

POWER TRANSISTORS(12A,50V,40W)
2SB826 SANYO

获取价格

50V/12A Switching Applications
2SB826 SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2SB826 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT PNP 50V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
2SB826_15 JMNIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2SB826_2014 JMNIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2SB826Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
2SB826R MOSPEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB