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2SB709AR

更新时间： 2024-01-31 14:33:36

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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4页	75K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB

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2SB709AR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709AR 数据手册

Transistor

2SB0709A

NF — I_E

h Parameter — I_E

V_CB=–5V

R_g=50kΩ

Ta=25˚C

300

100

V_CB=–5V

f=1kHz

R_g=2kΩ

Ta=25˚C

h_fe

h_oe(µS)

f=100Hz

1kHz

10kHz

h_ie(kΩ)

V_CE=–5V

f=270Hz

Ta=25˚C

h_re(✕10^–4

)

0.1

0.01 0.03

0.1

0.3

0.1

0.3

(

)

(

)

(

)

Emitter current I_EmA

h Parameter — V_CE

300

100

I_E=2mA

f=270Hz

Ta=25˚C

h_fe

h_oe(µS)

h_re(✕10^–4

)

h_ie(kΩ)

–30

–1

–3

–10

–100

( )

Collector to emitter voltage V_CE

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