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2SB1236A

更新时间： 2024-01-05 07:33:33
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Power Transistor (−160V , −1.5A)

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2SB1236A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：3 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：82
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SB1236A 数据手册

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2SB1275 / 2SB1236A  
Transistors  
Power Transistor (−160V , −1.5A)  
2SB1275 / 2SB1236A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) High breakdown voltage.(BVCEO = −160V)  
2) Low collector output capacitance.  
(Typ. 30pF at VCB = 10V)  
3) High transition frequency.(fT = 50MHZ)  
4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A.  
2SB1275  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
0.8Min.  
1.5  
2.5  
9.5  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−160  
−160  
−5  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
2SB1236A  
6.8  
V
2.5  
−1.5  
−3  
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗
∗
1
2
1
Collector  
2SB1275  
power  
0.65Max.  
W(Tc=25°C)  
10  
P
C
dissipation  
0.5  
2SB1236A  
1
W
(
1
)
( ) ( )  
2 3  
Junction temperature  
Storage temperature  
°C  
Tj  
150  
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
Tstg  
−55∼+150  
°C  
Taping specifications  
∗
∗
1
2
Single pulse Pw=100ms  
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SB1275 2SB1236A  
Package  
CPT3  
P
ATV  
PQ  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
TL  
2500  
TV2  
2500  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
−
−
160  
160  
−
−
−
V
V
I
C
= −50µA  
= −1mA  
= −50µA  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
I
C
E
−
5
−
V
I
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
−
−
1
1
2
µA  
µA  
V
V
V
CB = −120V  
EB = −4V  
I
−
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
I
C/I  
B
= −1A/  
−
0.1A  
∗
Collector-emitter saturation voltage  
2SB1275  
82  
82  
−
−
180  
270  
−
−
DC current  
transfer ratio  
h
FE  
V
CE = −5V , I  
C
= −0.1A  
2SB1236A  
−
−
Transition frequency  
Output capacitance  
f
T
50  
30  
MHz  
pF  
V
CE = −5V , I  
E
=
0.1A , f = 30MHz  
Cob  
−
−
V
CB = −10V , I  
E
=
0A , f = 1MHz  
∗Measured using pulse current.  
Rev.A  
1/3  
1234

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