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2SB1202T

更新时间: 2024-02-19 07:14:57
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 143K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252

2SB1202T 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.33外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):280
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2SB1202T 数据手册

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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
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