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2SA877

更新时间： 2022-12-24 02:04:11

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA877 2SA878

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for high-power high-fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING(see Fig.2)

PIN

1

DESCRIPTION

Base

2

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

3

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

2SA877

2SA878

2SA877

2SA878

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V

-120

-80

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V

-120

-6

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

V

A

-10

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

W

℃

℃

150

T_stg

-55~150

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA878	ISC	isc Silicon PNP Power Transistor	获取价格
2SA878	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
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2SA879	PANASONIC	For general amplification Complementary to 2SC1573	获取价格
2SA879Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-51	获取价格
2SA879R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-51	获取价格

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