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2SA670

更新时间: 2024-02-22 06:45:50
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA670 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.75
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):35
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

2SA670 数据手册

 浏览型号2SA670的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA670的Datasheet PDF文件第2页 
SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA670  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm)  
3

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