Datasheet > 2SA673

2SA673

更新时间： 2024-02-12 06:28:32

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	66K
描述
Plastic-Encapsulated Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA673 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA673 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2SA673

TRANSISTOR (PNP)

TO-92

FEATURE

Power dissipation

1. EMITTER

P_CM: 0.4 W (Tamb=25℃)

Collector current

2. COLLECTOR

3. BASE

I_CM:-0.5 A

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -35 V

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -10µA , I_E=0

MIN

-35

-4

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-1 mA , I_B=0

I_E=-10µA, I_C=0

V_CB= -20 V , I_E=0

V_CE=-3V, I_C= -10mA

V_CE=-3 V, I_C=-500mA

I_C= -150mA, I_B=-15mA

V_CE=-3 V, I_C=-10mA

-0.5

320

µA

h_FE(1)

DC current gain

h_FE(2)

V_CEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

-0.6

Base-emitter voltage

-0.75

*Measured using pulse

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

下载PDF

与2SA673相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA673_11	SECOS	General Purpose Transistor	获取价格
2SA673_11	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA673\|2SA673A	ETC		获取价格
2SA673A	HITACHI	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA673A	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA673A	SECOS	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格