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2SA1880

更新时间: 2024-02-09 15:12:13
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
Switching Power Transistor(-10A PNP)

2SA1880 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:ITO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHz最大关闭时间(toff):1700 ns
最大开启时间(吨):300 nsVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

2SA1880 数据手册

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2SA1880  
Forward Bias SOA  
-20  
-10  
10ms  
1ms  
100ms  
DC  
P limit  
T
-1  
I
limit  
S/B  
-0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
-0.01  
-1  
-10  
-80  
Collector-Emitter Voltage VCE [V]  

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