2SA1880

更新时间： 2024-02-27 19:35:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	113K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1880 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1880

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=-0.1A ;I_B=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=-5A; I_B=-0.5A

-80

-0.3

-1.2

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=-5A; I_B=-0.5A

At rated volatge

-0.1

I_CEO

I_EBO

Emitter cut-off current

DC current gain

At rated volatge

I_C=-5A ; V_CE=-2V

I_C=-1A ; V_CE=-10V

h_FE

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_on

Turn-on time

0.3

1.5

0.2

μs

I_C=-5A;I_B1=-I_B2=-0.5A ,

R_L=5Ω;V_BB2=-4V

t_s

Storage time

Fall time

t_f

123

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