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2SA1757

更新时间： 2024-01-16 10:52:35

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1757 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1757 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1757

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

-5

TYP.

MAX

UNIT

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BEsat-1

V_BEsat-2

I_CBO

Collector-emitter breakdown voltage I_C=-1mA , I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_E=-50µA , I_C=0

I_C=-3A, I_B=-0.15A

I_C=-4A, I_B=-0.2A

I_C=-3A, I_B=-0.15A

I_C=-4A, I_B=-0.2A

V_CB=-100V, I_E=0

V_EB=-5V; I_C=0

-0.3

-0.5

-1.2

-1.5

-10

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

-10

h_FE

DC current gain

I_C=-1A ; V_CE=-2V

I_E=0 ; V_CB=-10V,f=1MHz

I_C=-0.5A ; V_CE=-10V

160

320

C_ob

Output capacitance

130

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_on

Turn-on time

0.3

1.5

0.3

µs

I_C=-3A ; R_L=10Ω

I_B1=- I_B2=-0.15A

V_CC≈-30V

t_s

Storage time

Fall time

t_f

123

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