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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE2329 | NTE |
功能相似  |
cSilicon Complementary Transistors Audio Power Output |
|
| 2SB1429 | TOSHIBA |
功能相似 |
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1302R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SA1302-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1303 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SA1303 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) |
|
| 2SA1303 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1303 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1303 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 150V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk |
|
| 2SA1303_07 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
|
| 2SA1303O | SANKEN |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1303P | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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