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2SA1225(2-7J1A)

更新时间： 2024-02-08 15:36:01

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东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	139K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1225(2-7J1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1225(2-7J1A) 数据手册

2SA1225

– V

– I

FE C

500

300

−1.0

−0.8

Common emitter

= −5 V

Common emitter

Tc = 25°C

−20

−10

−8

−6

Tc = 100°C

100

−25

−0.6

−0.4

−4

−0.003

= −2 mA

−0.01

−0.03

−0.1

−0.3

−1

−0.2

Collector current

(A)

−2

−4

−6

−8

−10

−12

−14

Collector-emitter voltage

(V)

– I

f – I

T C

CE (sat)

−3

−1

300

Common emitter

= −10 V

Common emitter

/I = 10

C E

Tc = 25°C

100

−0.5

−0.3

Tc = 100°C

−25

−0.1

−0.05

−0.003

−5

−0.01

−0.03

−0.1

−0.3

−1

−10

−30

−100

−300

−1000

Collector current

(A)

Collector current

(mA)

Safe Operating Area

−5

– Ta

max (pulse)*

−3

1 ms*

(1) Tc = Ta Infinite heat sink

(2) Ceramic substrate

50 × 50 × 0.8 mm

max (continuous)

−1

(3) No heat sink

10 ms*

−0.5

−0.3

(1)

DC operation

Tc = 25°C

−0.1

−0.05

−0.03

*: Single nonrepetitive

pulse Tc = 25°C

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature.

(2)

(3)

max

−0.01

CEO

−0.005

−0.3

−1

−3

−10

−30

−100

−300

100

120

140

160

Collector-emitter voltage

(V)

Ambient temperature Ta (°C)

2010-02-05

1 234

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