2SA1190RF

更新时间： 2024-02-10 02:15:51

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7页	180K
描述
100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2SA1190RF 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1190RF 数据手册

2SA1190

Noise Voltage referred to Input vs.

Collector Current

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

100

V_CE= –6 V

Rg = 0

f = 1 kHz

f = 1 MHz

I_E= 0

1.0

0.3

0.1

–1

–3

–10

–30

–100

–0.1

–0.3

–1.0

–3

–10

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector Current I_C(mA)

Noise Voltage referred to Input vs.

Signal Source Resistance

Noise Voltage referred to Input vs.

Collector to Emitter Voltage

1,000

100

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

V_CE= –6 V

f = 1 kHz

I_C= –10 mA

–1

–0.1

1.0

I_C= –1 mA

Rg = 0

f = 1 kHz

0.1

100

1 k

10 k

100 k

–1

–3

–10

–30

–100

Signal Source Resistance R_g(Ω)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Noise Voltage referred to Input vs.

Frequency

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

V_CE= –6 V

Rg = 0

I_C= –1 mA

–10

100

1 k

10 k

100 k

Frequency f (Hz)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 6

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与2SA1190RF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1190RR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA1190RR	RENESAS	100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1190TZ	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1191	HITACHI	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1191	NJSEMI	New Jersey Semi-Conductor Products,	获取价格
2SA1191D	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, TO-92	获取价格